技術(shù)簡介

• BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，將BJT、CMOS、DMOS器件集成到同一芯片，綜合BJT器件高跨導(dǎo)、強負(fù)載驅(qū)動能力，CMOS器件集成度高以及DMOS器件高耐壓、高效率及低功耗等優(yōu)點，使BCD工藝大幅降低功耗，提高系統(tǒng)性能，提升可靠性和降低成本
  

平臺開發(fā)現(xiàn)狀

• QY球友会BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術(shù)基于先進(jìn)的CMOS工藝平臺，開發(fā)出各種電壓的高性能，低導(dǎo)通電阻LDMOS，以優(yōu)越的性能和較低的成本滿足各類客戶的需求?，F(xiàn)在0.15μm 5~40V EPI BCD 、0.18μm 5~30V BCD及 0.8μm 700V BCD已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；90nm 40V BCD, 以及 0.15um 60V 和 120V BCD已開始試產(chǎn)。將持續(xù)往更優(yōu)性能，更高電壓，更先進(jìn)節(jié)點開展。

  
  

工藝能力

• 低導(dǎo)通電阻，Deep Trench Isolation for 120V BCD, double resurf, selfalign Pbody, Thin Rox，fully isolatio

應(yīng)用產(chǎn)品

•  廣泛應(yīng)用于電源管理，DC-DC，AC-DC，LED驅(qū)動，電機驅(qū)動，電池管理，物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)品開發(fā)。

技術(shù)簡介

• LCD/LED等顯示驅(qū)動芯片，要求驅(qū)動高壓信號，無大功率要求，所以基于傳統(tǒng)CMOS工藝技術(shù)的低成本HV-CMOS工藝制程應(yīng)運而生。HV CMOS是傳統(tǒng)CMOS工藝向高壓的延伸，HV CMOS將CMOS和高壓MOS器件集成在同一芯片上來實現(xiàn)高壓驅(qū)動，成本較BCD工藝更低。
  

平臺開發(fā)現(xiàn)狀

• QY球友会HV CMOS技術(shù)基于先進(jìn)的CMOS工藝平臺，開發(fā)出多種電壓的HV CMOS器件，以優(yōu)越的性能和較低的成本滿足各類面板驅(qū)動IC產(chǎn)品需求。當(dāng)前0.15μm 1.8/3.3/18V HV CMOS工藝開發(fā)完成，已開始試產(chǎn)；90nm 1.32/3.3/5/6/32V HV CMOS系列工藝開發(fā)中。將持續(xù)往更豐富電壓，更先進(jìn)節(jié)點開展。
  

工藝能力

• 穿柵工藝、共阱工藝、深STI深寬比填充、MIM工藝、銅鋁混合工藝
  

應(yīng)用產(chǎn)品

• 廣泛應(yīng)用于電視機、電腦、消費類電子及可穿戴設(shè)備的顯示面板驅(qū)動等產(chǎn)品。

技術(shù)簡介

• eNVM是在邏輯工藝平臺基礎(chǔ)上開發(fā)出帶有非揮發(fā)存儲器模塊的芯片，QY球友会給予多種嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術(shù)，包括一次性可編程存儲器（OTP）, 多次可編程存儲器（MTP），電子保險絲一次性可編程存儲器（e-fuse）?，F(xiàn)在正在開發(fā)嵌入式閃存（e-flash）以及鐵電存儲器（FRAM） 技術(shù)
  

平臺開發(fā)現(xiàn)狀

• QY球友会給予多種嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術(shù)，技術(shù)節(jié)點覆蓋0.35μm到0.15μm量產(chǎn)工藝以及0.11μm到40nm在研工藝，為各工藝平臺給予了可靠和高效的存儲方案，現(xiàn)在0.11 μm e-flash工藝開發(fā)進(jìn)行中，預(yù)計2024年完成，90nm e-flash預(yù)計2025年完成， 0.11μm FRAM平臺先導(dǎo)客戶產(chǎn)品導(dǎo)入成功，2D產(chǎn)品已成功量產(chǎn)，3D產(chǎn)品預(yù)計年底量產(chǎn)，產(chǎn)品涉及串行和并行的獨立和嵌入式類型
  

工藝能力

• Floating gate，HK工藝，深孔刻蝕工藝，3D鐵電存儲
  

應(yīng)用產(chǎn)品

• QY球友会給予了完整的嵌入式非易失性存儲技術(shù)與廣泛IP支持，可應(yīng)用于智能卡，微處理器，電源管理IC等, 廣泛涉及消費電子，物聯(lián)網(wǎng)，汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。